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参数资料
| 型号： | SST49LF016C-33-4C-EIE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 31/43页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER LPC 16MBIT 40TSOP |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 120 |
| 系列： | SST49 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 33MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 40-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1453 (CN2011-ZH PDF) |
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16 Mbit LPC Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST49LF016C
Data Sheet
DC Characteristics
Table 22: DC Operating Characteristics at 33 MHz and 66 MHz (All Interfaces)
Limits
Symbo
Unit
l Parameter
I DD1
Active V DD Current
Min
Max
s
Test Conditions
LCLK (LPC mode) =V ILT /V IHT
All other inputs=V IL or V IH
Read
Single-/Dual-Byte Program, Erase
Quad-Byte Program
18
40
60
mA
mA
mA
All outputs = open, V DD =V DD Max
I SB
Standby V DD Current
100
μA
LCLK (LPC mode) =V ILT /V IHT at
(LPC Interface)
LFRAME#=.9V DD
V DD =V DD Max
All other inputs ?? 0.9 V DD or ? 0.1 V DD
I RY2
Ready Mode V DD Current
10
mA
LCLK (LPC mode) =V ILT /V IHT
LFRAME#=V IL , V DD =V DD Max
All other inputs ?? 0.9 V DD or ? 0.1 V DD
I I
Input Leakage Current for ID[3:0]
200
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
pins
I LI
I LO
I H
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Supervoltage Current for WP#/AAI
1
1
200
μA
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V H
Supervoltage for WP#/AAI
8.5
9.5
V
V IHI
3
INIT# Input High Voltage
1.1
V DD +0.
V
V DD =V DD Max
5
V ILI3
V IL
V IH
INIT# Input Low Voltage
Input Low Voltage
Input High Voltage
-0.5
-0.5
0.5
0.4
0.3 V DD
V DD +0.
V
V
V
V DD =V DD Min
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD
5
V OL
V OH
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.9
0.1 V DD
V
V
I OL =1500 μA, V DD =V DD Min
I OH =-500 μA, V DD =V DD Min
V DD
T22.1 25029
1. I DD active while a Read or Write (Program or Erase) operation is in progress.
2. The device is in Ready mode when no activity is on the LPC bus.
3. Do not violate processor or chipset specification regarding INIT# voltage.
Table 23: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
T PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T23.0 25029
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
31
DS25029A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST49LF016C-33-4C-NHE | IC FLASH SER LPC 16MBIT 32PLCC |
| SST25VF016B-50-4I-QAF | IC FLASH SER 16M 50MHZ SPI 8WSON |
| ACC43DRYS-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
| RBB106DHBS-S621 | EDGECARD 212POS DIP R/A .050 SLD |
| FMC20DRYI | CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST49LF016C-33-4C-EIE-T | 功能描述:闪存 3.0 to 3.6V 16Mbit LPC Firmware 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-NHE | 功能描述:闪存 16M (2Mx8) 33MHz 3.0-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-NHE-T | 功能描述:闪存 3.0 to 3.6V 16Mbit LPC Firmware 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-WHE | 功能描述:闪存 16M (2Mx8) 33MHz 3.0-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-WHE_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
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