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参数资料
型号： SSTV16859EC,518
厂商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分类： 锁存器
英文描述： SSTV SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, TRUE OUTPUT, PBGA96
封装： 13.50 X 5.50 MM, 1.05 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-536-1, LFBGA-96
文件页数： 14/14页
文件大小： 118K
代理商： SSTV16859EC,518
Philips Semiconductors
Product data
SSTV16859
2.5 V 13-bit to 26-bit SSTL_2
registered buffer for stacked DDR DIMM
2002 Feb 19
9
OUTPUT BUFFER CHARACTERISTICS
The following table describes output-buffer Voltage vs. Current (V/I) characteristics that are sufficient to meet the requirements of registered
DDR DIMM performance and timings. These characteristics are not necessarily production tested but can be guaranteed by design or
characterization. Compliance with these curves is not mandatory if it can be adequately demonstrated that alternate characteristics meet the
requirements of the registered DDR DIMM application.
VOLTAGE (V)
PULL-DOWN
PULL-UP
I (mA) MIN
I (mA) MAX
I (mA) MIN
I (mA) MAX
0.0
0
0.1
7
11
7
10
0.2
14
23
14
20
0.3
21
34
21
30
0.4
28
44
27
40
0.5
33
54
33
49
0.6
39
64
38
59
0.7
44
74
44
68
0.8
48
83
49
76
0.9
52
91
53
84
1.0
56
99
57
93
1.1
59
107
61
100
1.2
61
114
64
108
1.3
63
121
67
115
1.4
64
127
69
121
1.5
66
133
70
128
1.6
66
138
72
134
1.7
67
142
73
139
1.8
67
146
74
144
1.9
67
149
74
148
2.0
67
151
75
152
2.1
68
153
75
156
2.2
68
154
75
159
2.3
68
155
76
161
2.4
—
156
—
163
2.5
—
157
—
165
2.6
—
157
—
167
2.7
—
157
—
168
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
TEST CIRCUIT
Test Point
From Output
CL = 30 pF
see Note 1
RL = 50
SW00751
Under Test
Figure 1. Load circuitry
NOTE:
1. CL includes probe and jig capacitance.
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SSTV16859EC-T 功能描述:寄存器 2.5V 13BT-26B SSTL2 REG BUFFER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube
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