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参数资料
| 型号： | ST62T03CM6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, OTPROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| 封装： | 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-16 |
| 文件页数： | 72/100页 |
| 文件大小： | 1440K |
| 代理商： | ST62T03CM6E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页当前第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页
ST6200C/ST6201C/ST6203C
73/100
11.7 EMC CHARACTERISTICS
Susceptibility tests are performed on a sample ba-
sis during product characterization.
11.7.1 Functional EMS
(Electro Magnetic Susceptibility)
Based on a simple running application on the
product (toggling 2 LEDs through I/O ports), the
product is stressed by two electro magnetic events
until a failure occurs (indicated by the LEDs).
s
ESD: Electro-Static Discharge (positive and
negative) is applied on all pins of the device until
a functional disturbance occurs. This test
conforms with the IEC 1000-4-2 standard.
s
FTB: A Burst of Fast Transient voltage (positive
and negative) is applied to VDD and VSS through
a 100pF capacitor, until a functional disturbance
occurs. This test conforms with the IEC 1000-4-
4 standard.
A device reset allows normal operations to be re-
sumed.
Notes:
1. Data based on characterization results, not tested in production.
2. The suggested 10 F and 0.1 F decoupling capacitors on the power supply lines are proposed as a good price vs.
EMC performance tradeoff. They have to be put as close as possible to the device power supply pins. Other EMC rec-
ommendations are given in other sections (I/Os, RESET, OSCx pin characteristics).
Figure 50. EMC Recommended Star Network Power Supply Connection 2)
Symbol
Parameter
Conditions
Neg 1)
Pos 1)
Unit
VFESD
Voltage limits to be applied on any I/O pin
to induce a functional disturbance
VDD=5V, TA=+25°C, fOSC=8MHz
conforms to IEC 1000-4-2
-2
2
kV
VFFTB
Fast transient voltage burst limits to be ap-
plied through 100pF on VDD and VDD pins
to induce a functional disturbance
VDD=5V, TA=+25°C, fOSC=8MHz
conforms to IEC 1000-4-4
-2.5
3
VDD
VSS
0.1 F
10 F
VDD
ST62XX
POWER
SUPPLY
SOURCE
ST6
DIGITAL NOISE
FILTERING
(close to the MCU)
1
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| ST62T08CB6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC 8BIT MCU OTP 1K 62T08 DIP20 |
| ST62T08CM6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU OTP EPROM 1K SPI/UAR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST62T09CB6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU OTP EPROM 1K No Intf RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST62T09CB6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC 8BIT MCU OTP 2K 62T09 DIP20 |
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