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参数资料
| 型号： | ST72F611F1M1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
| 封装： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-20 |
| 文件页数： | 55/71页 |
| 文件大小： | 403K |
| 代理商： | ST72F611F1M1 |
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ST7261
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10.8 I/O PORT PIN CHARACTERISTICS
10.8.1 General Characteristics
Subject to general operating conditions for VDD,fCPU, and TA unless otherwise specified.
Figure 43. Two typical Applications with unused I/O Pin
Figure 44. Typical IPU vs. VDD with VIN=VSS
Figure 45. Typical RPU vs. VDD with VIN=VSS
Notes:
1. Unless otherwise specified, typical data are based on TA=25°C and VDD=5V, not tested in production.
2. Configuration not recommended, all unused pins must be kept at a fixed voltage: using the output mode of the I/O for
example or an external pull-up or pull-down resistor (see Figure 43). Data based on design simulation and/or technology
characteristics, not tested in production.
3. The RPU pull-up equivalent resistor is based on a resistive transistor (corresponding IPU current characteristics de-
scribed in Figure 44). This data is based on characterization results.
4. To generate an external interrupt, a minimum pulse width has to be applied on an I/O port pin configured as an external
interrupt source.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ 1)
Max
Unit
VIL
Input low level voltage
0.3xV
DD
V
VIH
Input high level voltage
0.7xV
DD
Vhys
Schmitt trigger voltage hysteresis
400
mV
IL
Input leakage current
VSS≤VIN≤VDD
±1
A
IS
Static current consumption 2)
Floating input mode
200
RPU
Weak pull-up equivalent resistor 3)
VIN=VSS
VDD=5V
50
80
120
k
CIO
I/O pin capacitance
5
pF
tf(IO)out
Output high to low level fall time
CL=50pF
Between 10% and 90%
25
ns
tr(IO)out
Output low to high level rise time
25
tw(IT)in
External interrupt pulse time 4)
1tCPU
10k
UNUSED I/O PORT
ST72XXX
10k
UNUSED I/O PORT
ST72XXX
VDD
Ipu (
A)
VDD (V)
TOBE CHARACTERIZED
R(
)
VDD (V)
TOBE CHARACTERIZED
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PDF描述 |
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