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参数资料
| 型号： | STB11NK40ZT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直| 9A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | STB11NK40ZT4 |
STP11NM60 / STP11NM60FP / STB11NM60 / STB11NM60-1
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STB11NM60 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 11A D2PAK |
| STB11NM60-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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