型号: | STB6LNC60 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |
中文描述: | N沟道600V的- 1ohm - 5.8A D2PAK封装MOSFET的第二PowerMesh⑩ |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 422K |
代理商: | STB6LNC60 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB6N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB6N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.35 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |