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参数资料
型号： STBV32
厂商： 意法半导体
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高压快速开关NPN电源晶体管
文件页数： 1/7页
文件大小： 67K
代理商： STBV32
STBV32
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
ST13003SILICON IN TO-92 PACKAGE
I
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREADOF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLEOPERATION
I
VERYHIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
ELECTRONICBALLASTSFOR
FLUORESCENT LIGHTING
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage
Multi
Epitaxial
Planar
switching speeds and medium voltagecapability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintainingthe wide RBSOA.
The STBV32 is designed for use in compact
fluorescentlamp application.
technology
for
high
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
February 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
700
400
9
1.5
3
0.75
1.5
1.1
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
TO-92
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