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参数资料
| 型号： | STBV32 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高压快速开关NPN电源晶体管 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | STBV32 |
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STBV32
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| STBV42 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STBV68 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STD25NF10L | N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STD40NF06LZ | N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Protected STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STD40NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STBV32_05 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STBV32-AP | 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| STBV32G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| STBV32G-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| STBV42 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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