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参数资料
| 型号： | STB80NF55L-08-1 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道55V的- 0.0065欧姆- 80A条TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET二功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | STB80NF55L-08-1 |
7/9
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
A1
2.40
2.72
0.094
0.107
b
0.61
0.88
0.024
0.034
b1
1.14
1.70
0.044
0.066
c
0.49
0.70
0.019
0.027
c2
1.23
1.32
0.048
0.052
D
8.95
9.35
0.352
0.368
e
2.40
2.70
0.094
0.106
e1
4.95
5.15
0.194
0.202
E
10
10.40
0.393
0.410
L
13
14
0.511
0.551
L1
3.50
3.93
0.137
0.154
L2
1.27
1.40
0.050
0.055
TO-262 (I
2
PAK) MECHANICAL DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB80NF55-06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA |
| STB80NF55-06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55-07 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55-08T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB80NF55L-08T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NF75L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80NF75L-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80NF75LT4 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NS04ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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