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参数资料
| 型号： | STD12N05L |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N沟道增强模式低阈值功率MOSFET) |
| 中文描述： | N沟道增强模式的低阈值功率MOS晶体管（不适用沟道增强模式低阈值功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | STD12N05L |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
3.33
100
1.5
275
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
12
A
E
AS
30
mJ
E
AR
7
mJ
I
AR
8
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
for
STD12N05L
for
STD12N06L
50
60
V
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
15 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 6 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
1
1.6
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
GS
= 5 V
0.115
0.15
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
12
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 6 A
4
8
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
350
150
50
500
200
80
pF
pF
pF
STD12N05L/STD12N06L
2/10
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STD12N05LT4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
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| STD12N06-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 |
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