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参数资料
| 型号： | STD5NM50T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 500V五（巴西）直| 5A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | STD5NM50T4 |
STD5N20
6/8
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD5NM60T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NB30T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
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| STD5NE10LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NE10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD5NM50T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor Polarity:N Channel |
| STD5NM60 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 5A DPAK |
| STD5NM60_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK |
| STD5NM601 | 制造商:n/a 功能描述:STD5NM60-1 |
| STD5NM60-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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