- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372330 > STD83003-1 BJT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STD83003-1 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 双极型晶体管 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | STD83003-1 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
6.25
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
T
j
= 125
o
C
1
5
mA
mA
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10 mA
12
18
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA
L = 25 mH
400
V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.35 A
I
B
= 0.1 A
I
B
= 50 mA
0.5
1
V
V
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.1 A
1
V
I
C
= 10 mA
I
C
= 0.35 A
I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
16
4
25
32
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 0.35 A
I
B1
= 70 mA
T
p
≥
25
μ
s
I
C
= 0.5 A
V
BE(off)
= -5 V
V
clamp
= 300 V
V
CC
= 125 V
I
B2
= -70 mA
(see figure 2)
I
B1
= 0.1 A
L = 10 mH
(see figure 1)
1.5
100
2.2
0.2
2.9
ns
μ
s
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
450
90
ns
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, dutycycle = 1.5 %
STD83003
2/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD83003T4 | BJT |
| STD8N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
| STD8N10-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD83003T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| STD830BLK | 功能描述:LED 安装硬件 .2" DIA X .83" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 产品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 颜色:Black 主体长度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封装:Bulk |
| STD830CP40 | 功能描述:TRANSISTOR PAIR 400V 8-DIP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
| STD840BLK | 功能描述:LED 安装硬件 .2" DIA X .84" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 产品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 颜色:Black 主体长度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封装:Bulk |
| STD840DN40 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual NPN High Volt 400V Vceo 700V Vcbo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。