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参数资料
| 型号： | STD83003-1 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 双极型晶体管 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | STD83003-1 |
Safe OperatingAreas
DCCurrent Gain
Collector Emitter SaturationVoltage
DeratingCurve
DC Current Gain
BaseEmitter Saturation Voltage
STD83003
3/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD83003T4 | BJT |
| STD8N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
| STD8N10-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD83003T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
| STD830BLK | 功能描述:LED 安装硬件 .2" DIA X .83" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 产品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 颜色:Black 主体长度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封装:Bulk |
| STD830CP40 | 功能描述:TRANSISTOR PAIR 400V 8-DIP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
| STD840BLK | 功能描述:LED 安装硬件 .2" DIA X .84" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 产品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 颜色:Black 主体长度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封装:Bulk |
| STD840DN40 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual NPN High Volt 400V Vceo 700V Vcbo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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