型号: | STF8A60 |
厂商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | Bi-Directional Triode Thyristor |
中文描述: | 双向可控硅三极管 |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 751K |
代理商: | STF8A60 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STF8A80 | 制造商:WINSEMI 制造商全称:WINSEMI 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor |
STF8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh V PWR MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STF8N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STF8N90K5 | 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220FP 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:50 |
STF8NK100Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |