参数资料
型号: STF8A60
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述: 双向可控硅三极管
文件页数: 4/6页
文件大小: 751K
代理商: STF8A60
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0
50
100
150
0.1
1
10
I
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GT3
I
I
+
GT1
_
GT1
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
1
10
C
Time (sec)
4/6
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
▼▲
A
V
10
6V
R
G
▼▲
A
V
10
6V
R
G
Test Procedure
Test Procedure
Test Procedure
STF8A60
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PDF描述
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参数描述
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STF8N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STF8N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220FP 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:50
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