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参数资料
| 型号： | STGF7NB60SL |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N沟道第7A - 600V的-对220FP PowerMESH IGBT的 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | STGF7NB60SL |
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September 2004
STGF7NB60SL
N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP
PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
I
LOW THRESHOLD VOLTAGE
I
LOW ON-VOLTAGE DROP
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “S” identifies a family optimized achieve
minimum on-voltage drop for low frequency appli-
cations (<1kHz).
APPLICATIONS
I
LIGHT DIMMER
I
STATIC RELAYS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGF7NB60SL
600 V
< 1.6 V
7 A
1
2
3
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGF7NB60SL
GF7NB60SL
TO-220FP
TUBE
Rev.3
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGF7NB60SL_0409 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT |
| STGF7NC60HD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGF8NC60KD | 功能描述:IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGFL6NC60D | 功能描述:IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGFL6NC60DI | 功能描述:IGBT 晶体管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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