- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录374939 > STGF7NB60SL (意法半导体) N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STGF7NB60SL |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N沟道第7A - 600V的-对220FP PowerMESH IGBT的 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | STGF7NB60SL |
STGF7NB60SL
2/9
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at 25
°
C
I
C
Collector Current (continuous) at 100
°
C
I
CM
(1)
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
V
ISO
Insulation Withstand Voltage A.C.
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(1)Pulse width limited by max. junction temperature.
Table 4: Thermal Data
Rthj-case
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: Off
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collectro-Emitter Breakdown
Voltage
V
BR(ECS)
Emitter-Collector Breakdown
Voltage
I
CES
Collector-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
Tc=25
°
C
Tc=125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
Table 6: On
Symbol
V
GE(th)
V
CE(SAT)
Parameter
Value
Symbol
V
600
20
V
± 20
V
15
A
7
A
20
A
25
W
0.2
W/
°
C
V
2500
–
55 to 150
°
C
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
5
°
C/W
°
C/W
62.5
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 1mA, V
GE
= 0
20
V
V
GE
= Max Rating
10
100
μA
μA
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
GE
=4.5 V, I
C
= 7A, Tj= 25
°
C
V
GE
=4.5 V, I
C
= 7A, Tj= 125
°
C
Min.
1.2
Typ.
Max.
2.4
Unit
V
Gate Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.2
1.1
1.6
V
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH51005G | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51004A | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51004G | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51004X | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51005A | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGF7NB60SL_0409 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT |
| STGF7NC60HD | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGF8NC60KD | 功能描述:IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGFL6NC60D | 功能描述:IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGFL6NC60DI | 功能描述:IGBT 晶体管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。