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参数资料
| 型号： | STM32F103VEH6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 72 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA100 |
| 封装： | 10 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-100 |
| 文件页数： | 75/115页 |
| 文件大小： | 1225K |
| 代理商： | STM32F103VEH6 |
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Electrical characteristics
STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE
Figure 25.
Asynchronous multiplexed NOR write waveforms
Table 34.
Asynchronous multiplexed NOR write timings(1)(2)
1.
VDD_IO = V and CL = 15 pF.
2.
Based on characterization, not tested in production.
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
tw(NE)
FSMC_NE low time
5THCLK – 1
5THCLK + 2
ns
tv(NWE_NE)
FSMC_NEx low to FSMC_NWE low
2THCLK
2THCLK + 1
ns
tw(NWE)
FSMC_NWE low time
2THCLK – 1
2THCLK + 2
ns
th(NE_NWE)
FSMC_NWE high to FSMC_NE high hold time
THCLK – 1
ns
tv(A_NE)
FSMC_NEx low to FSMC_A valid
7
ns
tv(NADV_NE)
FSMC_NEx low to FSMC_NADV low
3
5
ns
tw(NADV)
FSMC_NADV low time
2THCLK – 1
2THCLK + 1.5 ns
th(AD_NADV)
FSMC_AD (address) valid hold time after
FSMC_NADV high
THCLK – 3
ns
th(A_NWE)
Address hold time after FSMC_NWE high
4THCLK + 2.5
ns
tv(BL_NE)
FSMC_NEx low to FSMC_BL valid
1.6
ns
th(BL_NWE)
FSMC_BL hold time after FSMC_NWE high
THCLK – 1.5
ns
tv(Data_NADV) FSMC_NADV high to Data valid
THCLK + 1.5
ns
th(Data_NWE) Data hold time after FSMC_NWE high
THCLK – 5
ns
NBL
Data
FSMC_NEx
FSMC_NBL[1:0]
FSMC_AD[15:0]
tv(BL_NE)
th(Data_NWE)
FSMC_NOE
Address
FSMC_A[25:16]
tv(A_NE)
tw(NWE)
FSMC_NWE
tv(NWE_NE)
t h(NE_NWE)
th(A_NWE)
th(BL_NWE)
t v(A_NE)
tw(NE)
ai14891B
Address
FSMC_NADV
t v(NADV_NE)
tw(NADV)
t v(Data_NADV)
th(AD_NADV)
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