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参数资料
| 型号： | STM32F105VCT7TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 72 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 |
| 文件页数： | 49/95页 |
| 文件大小： | 1007K |
| 代理商： | STM32F105VCT7TR |
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STM32F105xx, STM32F107xx
Electrical characteristics
Doc ID 15274 Rev 4
53/95
5.3.12
I/O port characteristics
General input/output characteristics
Unless otherwise specified, the parameters given in Table 35 are derived from tests
performed under the conditions summarized in Table 9. All I/Os are CMOS and TTL
compliant.
All I/Os are CMOS and TTL compliant (no software configuration required), their
characteristics consider the most strict CMOS-technology or TTL parameters:
G
For VIH:
–if VDD is in the [2.00 V - 3.08 V] range: CMOS characteristics but TTL included
–if VDD is in the [3.08 V - 3.60 V] range: TTL characteristics but CMOS included
G
For VIL:
–if VDD is in the [2.00 V - 2.28 V] range: TTL characteristics but CMOS included
–if VDD is in the [2.28 V - 3.60 V] range: CMOS characteristics but TTL included
Table 35.
I/O static characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIL
Input low level voltage
TTL ports
–0.5
0.8
V
VIH
Standard IO input high level voltage
2
VDD+0.5
IO FT(1) input high level voltage
2
5.5V
VIL
Input low level voltage
CMOS ports
–0.5
0.35 VDD
V
VIH
Input high level voltage
0.65 VDD
VDD+0.5
Vhys
Standard IO Schmitt trigger voltage
hysteresis(2)
200
mV
IO FT Schmitt trigger voltage hysteresis(2)
5% VDD
(3)
mV
Ilkg
Input leakage current (4)
VSS VIN VDD
Standard I/Os
1
A
VIN= 5 V, I/O FT
3
RPU
Weak pull-up equivalent
resistor(5)
All pins except for
PA10
VIN VSS
30
40
50
k
PA10
8
11
15
RPD
Weak pull-down
equivalent resistor(5)
All pins except for
PA10
VIN VDD
30
40
50
k
PA10
8
11
15
CIO
I/O pin capacitance
5
pF
1. FT = Five-volt tolerant.
2. Hysteresis voltage between Schmitt trigger switching levels. Based on characterization, not tested in production.
3. With a minimum of 100 mV.
4. Leakage could be higher than max. if negative current is injected on adjacent pins.
5. Pull-up and pull-down resistors are designed with a true resistance in series with a switchable PMOS/NMOS. This
MOS/NMOS contribution to the series resistance is minimum (~10% order)
.
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