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参数资料
| 型号： | STM8AF62AATBX |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封装： | 14 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-80 |
| 文件页数： | 97/120页 |
| 文件大小： | 2236K |
| 代理商： | STM8AF62AATBX |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页当前第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页
Electrical characteristics
STM8AF52/62xx, STM8AF51/61xx
Doc ID 14395 Rev 7
10.3.5
Memory characteristics
Flash program memory/data EEPROM memory
General conditions: TA = -40 °C to 150 °C.
Table 51.
Flash program memory/data EEPROM memory
Symbol
Parameter
Conditions
Min(1)
1.
Guaranteed by characterization, not tested in production.
Typ
Max
Unit
VDD
Operating voltage
(all modes, execution/write/erase)
fCPU is 16 to 24 MHz
with 1 ws(2)
fCPU is 0 to 16 MHz
with 0 ws
2.
For devices with less than 96 Kbyte of program memory, the 24 MHz are only achievable using the super
set silicon (salestype contains SSS)
3.0
—
5.5
V
VDD
Operating voltage (code execution)
fCPU is 16 to 24 MHz
with 1 ws(2)
fCPU is 0 to 16 MHz
with 0 ws
2.6
—
5.5
tprog
Standard programming time
(including erase) for byte/word/block
(1 byte/4 bytes/128 bytes)
——
6
6.6
ms
Fast programming time for 1 block
(128 bytes)
——
3
3.3
terase
Erase time for 1 block (128 bytes)
—
3
3.3
ms
Table 52.
Program memory
Symbol
Parameter
Condition
Min
Max
Unit
TWE
Temperature for writing and erasing
—
-40
125
°C
NWE
Program memory endurance
(erase/write cycles)(1)
1.
The physical granularity of the memory is four bytes, so cycling is performed on four bytes even when a
write/erase operation addresses a single byte.
TA = 25 °C
1000
—
cycles
tRET
Data retention time
TA = 25 °C
40
—
years
TA = 55 °C
20
—
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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