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参数资料
| 型号： | STP1081ABGA-125 |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-256 |
| 文件页数： | 12/32页 |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | STP1081ABGA-125 |
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STP1081
Preliminary
Companion Device for 250/300 MHz UltraSPARC-II Systems
UltraSPARC
-II Data Buffer (UDB-II)
July 1997
UDB-II has intelligent storage for two 64-byte cache lines (writeback) and eight 16-byte stores. In addition, it
has storage for three 64-byte cache lines (read/load). The UDB-II delivers whatever 16-byte piece of data is
requested rst. It also compensates for any discrepancy between the delivery rates of the E-Cache and that of
the interconnect.
UltraSPARC-II has a second-level cache of at minimum 512 Kilobytes. This second-level cache is physically
indexed, physically tagged. The system address goes to the system controller and does not pass through
UDB-II.
Figure 2 shows the logical operation of the UDB-II.
E-Cache
SRAMs
US-II
CPU
SRAM Address [15:0]
UDB_H
UDB_L
UPA Data Bus
System Data &
ECC [143:0]
indexed, physically ta phy8.5 m7phy8.5 m7phi675 75193 -4.i675 75193 -4.]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP1081ABGA-150 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256 |
| STP1091PGA-75 | 2M X 1, CACHE CONTROLLER, CPGA376 |
| STP1100BGA-100 | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| STP2001QFP | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP1081ABGA-150 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ASIC |
| STP1091PGA-75 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Cache Controller |
| STP1091PGA-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Cache Controller |
| STP10LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| STP10N105K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
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