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参数资料
| 型号： | STP1081ABGA-125 |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-256 |
| 文件页数： | 5/32页 |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | STP1081ABGA-125 |
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Companion Device for 250/300 MHz UltraSPARC-II Systems
UltraSPARC
-II Data Buffer (UDB-II)
STP1081
Preliminary
July 1997
TIMING CONSIDERATIONS
General
The UDB-II will not stall data delivery to UltraSPARC-II on a correctable error or an uncorrectable error.
The number of transaction cycles on the data bus are as follows:
One for noncacheable stores (128 bits)
Four for mondo vectors (192 bits)
Four for cache lines (512 bits)
Timing Diagrams
Four Timing Modes
The clock relationships between the various combinations and timing possibilities are shown in Figure 7.
Figure 7. Timing Comparisons between EBUS_CLK and SYS_CLK Cases
EBUS_CLK
SYS_CLK
2:3 Mode
EBUS_CLK
SYS_CLK
1:2 Mode
EBUS_CLK
SYS_CLK
1:1 Mode, Case 1
EBUS_CLK
SYS_CLK
1:1 Mode, Case 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP1081ABGA-150 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256 |
| STP1091PGA-75 | 2M X 1, CACHE CONTROLLER, CPGA376 |
| STP1100BGA-100 | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| STP2001QFP | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP1081ABGA-150 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ASIC |
| STP1091PGA-75 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Cache Controller |
| STP1091PGA-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Cache Controller |
| STP10LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| STP10N105K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
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