- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372359 > STP2003PQFP Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STP2003PQFP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低电流运算，低反向泄露，低噪声稳压二极管 |
| 文件页数： | 8/20页 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | STP2003PQFP |
8
STP2000QFP
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
July 1997
E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
1. Operation of the device at values in excess of those listed above will result in degradation or destruction of the device. All voltages
are defined with respect to ground. Functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under
“recommended operating conditions” is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may
affect device reliability.
Absolute Maximum Ratings
[1]
Symbol
Parameter
Rating
Units
V
CC
V
IN
I
I
T
L
T
J
T
S
Power supply voltage
7.0
V
Input voltage
V
CC
+ 0.5
100
V
Current Drain V
CC
and GND
Lead temperature (less than 10 second soldering)
mA
250
°
C
°
C
°
C
Operating temperature
0 to +70
Storage temperature
-55 to +150
Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
V
CC
T
A
P
D
Supply voltage
4.75
5.0
5.25
V
Operating Temperature
0
25
70
°
C
Power consumption (@ 25 MHz SBus)
–
750
1400
mW
Capacitance
Symbol
Parameter
Typ
Max
Units
C
IN
C
OUT
C
BI
C
SCSI
Input capacitance
6
–
pF
Output capacitance
6
–
pF
Bidirectional pin capacitance
6
–
pF
SCSI pin capacitance
–
10
pF
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2003QFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP2011PGA50 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP2012PQFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP2013PGA-50 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP2014PQFP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP2003QFP | 制造商:SUN 功能描述: |
| STP200N3LL | 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:2,000 |
| STP200N4F3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40Volt 120Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP200N6F3 | 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A PAK TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP200NF03 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。