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参数资料
| 型号： | STP6NB90FP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
| 中文描述： | ? -频道900V - 1.7ohm - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET的 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | STP6NB90FP |
THERMAL DATA
TO-220
TO220-FP
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.08
3.13
oC/W
Rthj-amb
Rthc-sink
T l
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Thermal Resistance Case-sink
Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
62.5
0.5
300
oC/W
oC
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbo l
Parameter
Max Valu e
Unit
IAR
Avalanche Current , Repet itive or Not-Repet itive
(pulse width limited by Tj max)
5. 8
A
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting Tj =25
oC, ID =IAR,VDD =50 V)
250
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase =25
oC unless otherwise specified)
OFF
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
T yp.
Max.
Unit
V(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ID =250
AVGS =0
900
V
IDSS
Zero G ate Voltage
Drain Current (VGS =0)
VDS =Max Rating
VDS = Max Rating
Tc =125
oC
1
50
A
IGSS
Gat e-body Leakage
Current (VDS =0)
VGS =
± 30 V
± 100
nA
ON (
)
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
T yp.
Max.
Unit
VGS(th)
Gat e Threshold
Voltage
VDS =VGS
ID = 250
A
345
V
RDS(on)
Static Drain-source O n
Resist ance
VGS =10V
ID =3 A
1.7
2
ID(o n)
On Stat e Drain Current
VDS >ID(o n) xRDS(on )max
VGS =10 V
5. 8
A
DYNAMIC
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
T yp.
Max.
Unit
gfs (
)Forward
Transconduct ance
VDS >ID(o n) xRDS(on )max
ID =3 A
1. 5
4
S
Ciss
Cos s
Crss
Input Capacitance
Out put Capacitance
Reverse T ransfer
Capacitance
VDS =25 V
f = 1 MHz
VGS = 0
1400
160
18
pF
STP6NB90/FP
2/9
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