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参数资料
| 型号： | STP6NB90FP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
| 中文描述： | ? -频道900V - 1.7ohm - 5.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | STP6NB90FP |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
T yp.
Max.
Unit
td(on)
tr
Turn-on delay Time
Rise Time
VDD = 450 V
ID =3 A
RG =4.7
VGS =10 V
20
10
ns
Qg
Q gs
Qgd
Tot al Gate Charge
Gat e-Source Charge
Gat e-Drain Charge
VDD = 720 V
ID =6 A VGS =10 V
40
10
18
55
nC
SWITCHING OFF
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
T yp.
Max.
Unit
tr(Voff)
tf
tc
Off -volt age Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
VDD = 720V
ID =6 A
RG =4.7
VGS =10 V
15
25
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
T yp.
Max.
Unit
ISD
ISDM (
)
Source-drain Current
(pulsed)
5. 8
23
A
VSD (
)
Forward On Volt age
ISD =5.8 A
VGS =0
1. 6
V
trr
Qrr
IRRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
ISD = 6 A
di/dt = 100 A/
s
VDD = 100 V
Tj =150
oC
650
4.6
14
ns
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area for TO-220
Safe Operating Area for TO-220FP
STP6NB90/FP
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| STP6NC80FP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | TO-220FP |
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| STP6NC80ZFP | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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