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参数资料
| 型号： | STPS2150AF |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-221AC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | STPS2150AF |
Characteristics
STPS2150
2/9
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.59 x IF(AV) + 0.04 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute Ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
150
V
IF(AV)
Average forward current
SMA, SMAflat
TL = 145 °C δ = 0.5
2
A
DO-15
TL = 130 °C δ = 0.5
IFSM
Surge non repetitive forward
current
SMA, SMAflat
tp = 10 ms sinusoidal
75
A
DO-15
150
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
2400
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature(1)
175
°C
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
dPtot
dTj
---------------
1
Rth j
a
–
()
--------------------------
<
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
SMA, SMAflat
20
°C/W
Lead length = 10 mm
DO-15
30
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
0.5
1.5
A
Tj = 125 °C
0.5
1.5
mA
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 2 A
0.78
0.82
V
Tj = 125 °C
0.62
0.67
Tj = 25 °C
IF = 4 A
0.86
0.89
Tj = 125 °C
0.70
0.75
1.
tp = 5 ms, δ < 2%
2.
tp = 380 s, δ < 2%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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