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参数资料
| 型号： | STPS2150AF |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-221AC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | STPS2150AF |
STPS2150
Characteristics
3/9
Figure 1.
Average forward power
dissipation versus average
forward current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
P
(W)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
I
(A)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.05
δ = 0.5
δ = 0.1
δ = 0.2
I
(A)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0
25
50
75
100
125
150
175
Rth(j-a)=Rth(j-l)
T
δ=tp/T
tp
Rth(j-a)=100°C/W
SMA / SMAflat
DO-15
Rth(j-a)=200°C/W
T
(°C)
amb
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(T )
P
(25°C)
ARM
j
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, DO-15)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, SMA)
I (A)
M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
a=25°C
T
a=75°C
T
a=125°C
IM
t
δ =0.5
DO-15
t(s)
I (A)
M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
a=25°C
T
a=75°C
T
a=125°C
IM
t
δ =0.5
SMA
t(s)
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