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参数资料
| 型号： | STPS2150AF |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-221AC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | STPS2150AF |
Characteristics
STPS2150
4/9
Figure 7.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
(maximum values, SMAflat)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (DO-15)
I(A)
M
0
1
2
3
4
5
6
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
a=25°C
T
a=75°C
T
a=125°C
IM
t
δ =0.5
SMAflat
t(s)
Z/R
th(j-a)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Single pulse
DO-15
t (s)
p
Figure 9.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (SMA)
Figure 10.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (SMAflat)
Z/R
th(j-a)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Single pulse
SMA
t (s)
p
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Single pulse
SMAflat
Z/R
th(j-a)
t (s)
p
Figure 11.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied
(typical values)
Figure 12.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
I (A)
R
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0
25
50
75
100
125
150
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =50°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
V (V)
R
C(pF)
10
100
1000
1
10
100
1000
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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