参数资料
型号: STPS8H100FP
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAC, FULL PACK-2
文件页数: 3/9页
文件大小: 132K
代理商: STPS8H100FP
STPS8H100
Characteristics
3/9
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
Figure 4.
Average forward current versus
ambient temperature,
δ = 0.5,
(TO-220AC, D2PAK)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
2
4
6
8
10
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ=tp/T
=tp/T
tp
Figure 5.
Average forward current versus
ambient temperature,
δ = 0.5,
(TO-220FPAC)
Figure 6.
Non repetitive surge peak
forward current versus overload
duration - maximum values, per
diode (TO-220AC, D2PAK)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
2
4
6
8
10
Rth(j-a)=50°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Tamb(°C)
IF(av)(A)
T
δ=tp/T
=tp/T
tp
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
t(s)
IM(A)
Tc=75°C
Tc=100°C
Tc=125°C
IM
t
δ=0.5
Figure 7.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration
- maximum values (TO-220FPAC)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AC, D2PAK)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Tc=75°C
Tc=100°C
Tc=125°C
t(s)
IM(A)
IM
t
δ=0.5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Single pulse
T
δ=tp/T
=tp/T
tp
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PDF描述
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参数描述
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STPS8H100G-TR 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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STPS8L30BTR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STPS8L30B-TR 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel