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参数资料
| 型号： | STTH1002CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STTH1002CT |
1/8
STTH1002C
March 2004 - Ed: 4
HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE
Dual center tap rectifier suited for Switch Mode
Power Supplies and High frequency DC to DC
converters.
Packaged
in
DPAK,
D
2PAK,
TO-220AB,
TO220-FPAB and I
2PAK, this device is intended
for use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling and polarity protection applications.
DESCRIPTION
■
Suited for SMPS
■
Low losses
■
Low forward and reverse recovery times
■
Insulated package: TO-220FPAB
■
High junction temperature
■
Low leakage current
FEATURES AND BENEFITS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
200
V
IF(RMS)
RMS forward current
TO-220AB / TO-220FPAB / I
2PAK / D2PAK /
20
A
DPAK
10
IF(AV)
Average forward
current
δ =0.5
TO-220AB / I
2PAK
/D
2PAK / DPAK
Tc = 155°C
Per diode
5A
Tc = 150°C
Per device
10
Tc = 135°C
Per diode
8
Tc = 125°C
Per device
16
TO-220FPAB
Tc = 140°C
Per diode
5
Tc = 120°C
Per device
10
Tc = 110°C
Per diode
8
Tc = 75°C
Per device
16
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
50
A
Tstg
Storage temperature range
- 65 + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)
IF(AV)
Up to 2x8A
VRRM
200 V
Tj (max)
175 °C
VF (typ)
0.78 V
trr (typ)
20 ns
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
A1
A2
K
A1
A2
K
I
2PAK
STTH1002CR
A1
A2
K
TO-220AB
STTH1002CT
A1
A2
K
D
2PAK
STTH1002CG
A1
A2
K
TO-220FPAB
STTH1002CFP
K
A1
A2
DPAK
STTH1002CB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1002CG | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH1002CB-TR | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH1003SFP | 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STTH1003SG-TR | 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH102RL | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH1003G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STTH1003S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB-TR | 功能描述:DIODE HI EFF 300V 10A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| STTH1003SBY-TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Auto Hi efficiency 10A 300V 13ns 0.9V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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