- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40411 > STTH1002CT (STMICROELECTRONICS) 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STTH1002CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STTH1002CT |
STTH1002C
4/8
t(ns)
rr
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
Fig. 6: Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values, per diode).
I(A)
RM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
Fig. 7: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(typical values, per diode).
IRM
Qrr
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
Q;
rr I
[T ]/Q ;I
[T =125°C]
RM
j
rr RM
j
I =5A
F
V =160V
R
Fig. 8:
Dynamic parameters versus junction
temperature.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
R
(°C/W)
th(j-a)
S(Cu)(cm)
Fig. 9-2: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, eCU: 35m) for DPAK.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
02468
10
12
14
16
18
20
S(Cu)(cm)
R
(°C/W)
th(j-a)
Fig. 9-1: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, eCU: 35m) for D
2PAK.
Q (nC)
rr
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
10
100
1000
dI /dt(A/s)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
Fig. 5: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(typical values, per diode).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1002CG | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH1002CB-TR | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH1003SFP | 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STTH1003SG-TR | 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH102RL | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH1003G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STTH1003S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB-TR | 功能描述:DIODE HI EFF 300V 10A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| STTH1003SBY-TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Auto Hi efficiency 10A 300V 13ns 0.9V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。