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参数资料
型号： STTH1003SG-TR
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 整流器
英文描述： 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件页数： 4/9页
文件大小： 103K
代理商： STTH1003SG-TR
Characteristics
STTH1003S
4/9
Doc ID 11604 Rev 2
Figure 7.
Forward recovery time versus dIF/dt (90% confidence)
Figure 5.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature (reference: Tj = 125 °C)
Figure 6.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (90% confidence)
25
50
75
100
125
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
T (°C)
j
S factor
IRM
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
50
100
150
200
250
300
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
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