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参数资料
| 型号： | STTH312B-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | STTH312B-TR |
STTH312
Characteristics
3/8
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
115
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
55
80
IRM
Reverse recovery current
IF = 3 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 600 V, Tj = 125° C
9.5
14
A
S
Softness factor
IF = 3 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 600 V, Tj = 125° C
2
tfr
Forward recovery time
IF = 3 A
dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.5 x VFmax, Tj = 25° C
350
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 3 A, dIF/dt = 50 A/s,
Tj = 25° C
12
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
P(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 1
I
(A)
F(AV)
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =150°C
(maximum values)
j
T =150°C
(typical values)
j
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
Single pulse
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =600V
T =125°C
R
j
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