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参数资料
| 型号： | STTH312B-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | STTH312B-TR |
Characteristics
STTH312
4/8
Figure 5.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
V =600V
T =125°C
R
j
0
200
400
600
800
1000
1200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q (nC)
rr
dI /dt(A/s)
F
V =600V
T =125°C
R
j
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
Figure 7.
Softness factor versus
dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
dI /dt(A/s)
F
I
2xI
T =125°C
FF(AV)
j
≤
V =600V
R
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
IRM
QRR
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
FF(AV)
j
V =600V
R
trr
Figure 9.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
FF(AV)
j
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.5 x V max.
FR
F
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PDF描述 |
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