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参数资料
| 型号： | SUD17N25-165-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 250V TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD17N25-165-E3DKR |
New Product
SUD17N25-165
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
20
20
16
12
8
V GS = 10 thru 6 V
5V
16
12
8
T C = 125 °C
4
4
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
6
60
50
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.32
0.28
0.24
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
40
0.20
125 °C
30
20
0.16
0.12
V GS = 10 V
0.08
10
0.04
0
0.00
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
2800
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2100
C iss
16
V DS = 125 V
I D = 17 A
12
1400
8
700
0
C rss
C oss
4
0
0
40
80
120
160
200
0
8
16
24
32
40
48
56
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 72851
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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