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参数资料
| 型号： | SUD50P10-43L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 9.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD50P10-43L-E3DKR |
SUD50P10-43L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
140
120
40
100
30
20
8 0
60
40
10
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
100
10
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I A
1
T A
L
B V - V DD
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T A - Time In A v alanche (s)
Single Pulse Avalance Capability
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 175 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 73444
S09-1398-Rev. C, 20-Jul-09
www.vishay.com
5
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