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参数资料
| 型号： | SUM8.2FSMS |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | SUM8.2FSMS |
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SUM8.2F & FSMS
PACKAGE OUTLINE: Axial
B
C
A
D
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
.065”
0.165”
B
---
.350”
C
0.047”
0.053”
D
1.00”
––
PACKAGE OUTLINE: Surface Mount Square Tab
C
B
A
D
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.170”
0.180”
B
0.330”
0.380”
C
0.020”
0.030”
D
0.002”
––
Notes:
Consult manufacturing for operating curves.
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: RC0052B
DOC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM8.2FSMSTXV | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM8.2FTXV | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SV-3SS | STABISTOR DIODE |
| SV1040T/R13 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277 |
| SV1516FMRC | 205 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM85N03-06P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-06P_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175Celsius MOSFET |
| SUM85N03-06P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM85N03-07P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM85N03-07P-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 85A 93W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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