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参数资料
| 型号： | SUM90N06-5M5P-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUM90N06-5m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
I D = 50 A
2.0
I D = 20 A
8
V DS = 15 V
1.7
V GS = 10 V
V DS = 30 V
6
4
2
0
V DS = 45 V
1.4
1.1
0. 8
0.5
0
17
34
51
6 8
8 5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0. 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1.0
0.1
0.01
0.001
150 °C
25 °C
0.2
- 0.4
- 1.0
- 1.6
- 2.2
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
76
73
70
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Gate Charge
I D = 1 mA
100
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
150 °C
25 °C
67
64
61
5 8
10
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0 . 0 0 0 0 1
0.0001
0.001
0.01
0 . 1
1.0
www.vishay.com
4
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
T A V (s)
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Document Number: 69537
S-72506-Rev. A, 03-Dec-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM90N08-6M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| SUM90N08-7M6P-E3 | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
| SUM90N10-8M2P-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V D2PAK |
| SUP18N15-95-E3 | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
| SUP28N15-52-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUM90N08-4M8P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
| SUM90N08-4M8P-E3 | 功能描述:MOSFET 75V 90A 300W 4.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90N08-6M2P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
| SUM90N08-6M2P-E3 | 功能描述:MOSFET 75V 90A 272W 6.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUM90N08-7M6P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:SUM90N08-7m6P |
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