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参数资料
| 型号： | SUV85N10-10-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUV85N10-10
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
Output Characteristics
250
V GS = 10 thru 6 V
200
Vishay Siliconix
Transfer Characteristics
200
5V
150
150
100
100
50
0
4V
3V
50
0
T C = 125 _ C
25 _ C
- 55 _ C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
250
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Transconductance
T C = - 55 _ C
25 _ C
0.020
0.015
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
150
125 _ C
0.010
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
100
0.005
50
0
0.000
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
10000
I D - Drain Current (A)
Capacitance
20
I D - Drain Current (A)
Gate Charge
8000
6000
4000
C iss
16
12
8
V DS = 50 V
I D = 85 A
2000
0
C rss
C oss
4
0
0
15
30
45
60
75
0
50
100
150
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Document Number: 72039
S-03601—Rev. B, 31-Mar-03
Q g - Total Gate Charge (nC)
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SUVT10KF2B4S | 制造商:American Power Conversion Corp 功能描述:UPS, 10000 VA, 8000 WATTS, (1) HARD WIRE 5-WIRE (3PH + N + G), (1) SCREW TERMINA |
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