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参数资料
| 型号： | SUV85N10-10-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUV85N10-10
THERMAL RATINGS
Maximum Avalanche and Drain Current
New Product
Vishay Siliconix
100
80
60
vs. Case Temperature
1000
100
Safe Operating Area
Limited
10 m s
100 m s
40
10
by r DS(on)
1 ms
10 ms
100 ms
dc
20
0
1
0.1
T C = 25 _ C
Single Pulse
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1000
T C - Ambient Temperature ( _ C)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Document Number: 72039
S-03601—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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