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参数资料
| 型号： | T436416D-5CG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 62/73页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | T436416D-5CG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页当前第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页
TE
CH
tm
T436416D
TM Technology Inc. reserves the right
P. 62
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 19.1. Full Page Write Cycle
(Burst Length=Full Page, CAS# Latency=1)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9,A11
DQM
DQ
BA0,1
DAx+1
DAx
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Activate
Command
Bank B
RAx
RAx
Burst Stop
Command
CBx
High
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
RBx
CAx
RBy
RBy
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Full Page burst operation does
not terminate when the burst
length is satisfied; the burst counter
increments and continues bursting
beginning with the starting address.
Activate
Command
Bank B
t
CK1
DAx+2 DAx+3 DAx-1
DAx
DAx+1
DBx
DBx+1DBx+2DBx+3DBx+4 DBx+5 DBx+6 DBx+7
Write
Command
Bank A
Data is ignored
RBx
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416D-5S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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| T436416D-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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| T436416D-6CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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