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参数资料
| 型号： | T436416D-5CG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 72/73页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | T436416D-5CG |
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TE
CH
tm
54 Pin TSOP II Package Outline Drawing Information
54
T436416D
TM Technology Inc. reserves the right
P. 72
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
y
S
B
e
A
A
L
L
1
C
1
D
E
H
E
0
θ°
L
L
1
27
28
Symbol
A
A1
A2
B
C
D
E
e
HE
L
L1
S
Y
θ
Dimension in inch
Normal
-
0.00395
-
0.015
0.0065
0.8755
0.400
0.0315
0.466
0.020
0.033
0.035
-
-
Dimension in mm
Normal
-
0.1
-
0.35
0.165
22.238
10.16
0.80
11.8365
0.50
0.84
0.88
-
-
Min
-
0.002
-
0.010
0.0047
0.872
0.3960
-
0.462
0.016
-
-
-
0
°
Max
0.047
0.0059
0.0411
0.018
0.0083
0.879
0.4040
-
0.470
0.0235
-
-
0.004
5
°
Min
-
0.05
-
0.25
0.120
22.149
10.058
-
11.735
0.406
-
-
-
0
°
Max
1.194
0.150
1.044
0.45
0.210
22.327
10.262
-
11.938
0.597
-
-
0.10
5
°
Notes:
1. Dimension D&E do not include interlead flash.
2. Dimension B does not include dambar protrusion/intrusion.
3. Dimension S includes end flash.
4. Controlling dimension : mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416D-5S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6CG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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