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参数资料
| 型号： | T436416D-5CG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 64/73页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | T436416D-5CG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页当前第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页
TE
CH
tm
T436416D
TM Technology Inc. reserves the right
P. 64
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 19.3. Full Page Write Cycle
(Burst Length=Full Page, CAS# Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9,A11
DQM
DQ
BA0,1
DAx+1
DAx
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Activate
Command
Bank B
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
RAx
RAx
Burst Stop
Command
CBx
High
RBx
CAx
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
RBy
RBy
Full Page burst operation does
not terminate when the burst
length is satisfied; the burst counter
increments and continues bursting
beginning with the starting address.
Activate
Command
Bank B
t
CK3
RBx
DAx+2 DAx+3 DAx-1
DAx
DAx+1
DBx
DBx+1DBx+2DBx+3
DBx+4 DBx+5
Write
Command
Bank A
Data is ignored
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416D-5S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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参数描述 |
|---|---|
| T436416D-5S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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