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参数资料
| 型号： | TB28F800BV-T80 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 80 ns, PDSO44 |
| 封装： | 0.525 X 1.110 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件页数： | 47/55页 |
| 文件大小： | 638K |
| 代理商： | TB28F800BV-T80 |
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E
4.11
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
47
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
DC Characteristics
—Extended Temperature Operations
(Continued)
Prod
TBV-80
TBV-80
TBE-120
Sym
Parameter
V
CC
3.3 ± 0.3 V
5 V ± 10%
Unit
Test Conditions
Notes
Typ
Max
Typ
Max
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
±
0.5V
2.0
V
CC
±
0.5V
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA (5 V)
2 mA (3.3 V)
V
PP
= 12V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
OH
1
Output High Voltage (TTL)
2.4
2.4
V
V
OH
2
Output High Voltage
(CMOS)
0.85
×
V
CC
0.85
×
V
CC
V
V
CC
–
0.4V
V
CC
–
0.4V
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
=
–100 μA
V
PPLK
V
PP
Lock-Out Voltage
3
0.0
1.5
0.0
1.5
V
Complete Write
Protection
V
PPH
1
V
PP
during Program/Erase
Operations
4.5
5.5
4.5
5.5
V
V
PP
at 5 V
V
PPH
2
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
PP
at 12 V
V
LKO
V
CC
Program/Erase
Lock Voltage
8
2.0
2.0
V
V
HH
RP# Unlock Voltage
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
PP
= 12 V
Boot Block Program/
Erase
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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