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参数资料
| 型号： | TC1307 |
| 厂商： | Microchip Technology Inc. |
| 英文描述： | Four-Channel CMOS LDO with Select Mode, Shutdown and Independent Reset |
| 中文描述： | 四通道CMOS低压降稳压器的选择模式，关机和独立复位 |
| 文件页数： | 10/28页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | TC1307 |
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TC1307
DS21702A-page 10
2002 Microchip Technology Inc.
Note:
Unless otherwise indicated, V
IN
= 3.8V, C
IN
= 10 μF ceramic (X5R), C
OUT
= 1 μF ceramic (X5R), I
LOAD
= 100 μA,
SELECT12 = NC, SELECT34 = V
IN
, SHDN1/2/3/4 = V
IN,
T
A
= 25°C.
Junction temperature (T
J
) is approximated by soaking the device under test at an ambient temperature equal to the
desired Junction temperature. The test time is small enough such that the rise in the Junction temperature over the
Ambient temperature is not significant.
FIGURE 2-31:
Reset V
OL-RES
vs. I
SINK
.
FIGURE 2-32:
Reset
Temperature.
V
OL-RES
vs.
Junction
FIGURE 2-33:
Reset V
OH-RES
vs. I
SOURCE
.
FIGURE 2-34:
Reset
Temperature.
V
OH-RES
vs.Junction
FIGURE 2-35:
Power-Up RESET Timing.
FIGURE 2-36:
Ground Current vs. Load Current.
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Sink Current (mA)
R
O
V
DET
= 2.55V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
-40
-25
-10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
Junction Temperature (°C)
R
O
V
DET
= 2.55V
I
SINK
= 1.2 mA
I
SINK
= 3.2 mA
2.00
2.20
2.40
2.60
2.80
3.00
3.20
3.40
3.60
3.80
4.00
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
Source Current (mA)
R
O
V
DET
= 3.80V
5.91
5.92
5.93
5.94
5.95
5.96
5.97
-40
-25
-10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
Junction Temperature (°C)
R
O
V
DET
= 6.0V
I
SOURCE
= 500 μA
I
SOURCE
= 800 μA
200
225
250
275
300
325
0
25
50
75
100
125
150
Load Current (mA)
G
V
DET
= V
IN
= 3 .8V
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