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参数资料
| 型号： | TC1307 |
| 厂商： | Microchip Technology Inc. |
| 英文描述： | Four-Channel CMOS LDO with Select Mode, Shutdown and Independent Reset |
| 中文描述： | 四通道CMOS低压降稳压器的选择模式，关机和独立复位 |
| 文件页数： | 8/28页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | TC1307 |
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TC1307
DS21702A-page 8
2002 Microchip Technology Inc.
Note:
Unless otherwise indicated, V
IN
= 3.8V, C
IN
= 10 μF ceramic (X5R), C
OUT
= 1 μF ceramic (X5R), I
LOAD
= 100 μA,
SELECT12 = NC, SELECT34 = V
IN
, SHDN1/2/3/4 = V
IN,
T
A
= 25°C.
Junction temperature (T
J
) is approximated by soaking the device under test at an ambient temperature equal to the
desired Junction temperature. The test time is small enough such that the rise in the Junction temperature over the
Ambient temperature is not significant.
FIGURE 2-19:
Line Step Response.
FIGURE 2-20:
Line Step Response.
FIGURE 2-21:
Power Supply Rejection Ratio vs.
Ripple Voltage Frequency.
FIGURE 2-22:
Power Supply Rejection Ratio vs.
Ripple Voltage Frequency.
FIGURE 2-23:
Output Noise.
FIGURE 2-24:
Output Noise.
0
10
20
30
40
50
60
70
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
Ripple Voltage Frequency (Hz)
P
V
IN
= 4.1V
V
OUT
= 2.8V
C
OUT
= 1 μF Ceramic
I
LOAD
= 100 mA
0
10
20
30
40
50
60
70
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
Ripple Voltage Frequency (Hz)
P
V
IN
= 4.1V
V
OUT
= 2.8V
C
OUT
= 10μF Ceramic
I
LOAD
= 100 mA
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