- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17629 > TC1413EPA (Microchip Technology)IC MOSFET DVR 3A HS INV 8DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TC1413EPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A HS INV 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
TC1413/TC1413N
Note: Unless otherwise indicated, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
70
60
50
40
30
20
T A = +85 ° C
T A = -40 ° C
C LOAD = 1800 pF
T A = +25 ° C
70
60
50
40
30
20
C LOAD = 1800 pF
T A = +85 ° C
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
10
4
6
8
10
12
14
16
10
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-7:
Voltage.
Rise Time vs. Supply
FIGURE 2-10:
Voltage.
Fall Time vs. Supply
110
100
90
80
70
60
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
C LOAD = 1800 pF
100
90
80
70
60
C LOAD = 1800 pF
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
50
50
40
40
30
T A = -40 ° C
30
T A = -40 ° C
20
4
6
8
10
12
14
16
20
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
FIGURE 2-11:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
40
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t RISE
35
34
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t D2
30
t FALL
33
t D1
32
20
31
10
0
30
29
28
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
1000
2000
3000
4000
5000
C LOAD (pF)
C LOAD (pF)
FIGURE 2-9:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-12:
Propagation Delays vs.
Capacitive Load.
DS21392C-page 6
Capacitive Load.
? 2003 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32912A3333M | CAP FILM 0.033UF 760VDC RADIAL |
| ESC12DRXH | CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD |
| 3299Y-1-104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3299Y-1-503 | TRIMMER 50K OHM 0.5W TH |
| ECC10DRTI | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1413EUA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413EUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413N | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:3A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS |
| TC1413NCOA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413NCOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。