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参数资料
| 型号： | TC1413EPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A HS INV 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
TC1413/TC1413N
4.0
APPLICATION INFORMATION
+5V
Input
90%
V DD = 16V
1.0 μF
0.1 μF
0V
V DD
10%
t D1
90%
t F
t D2
t R
90%
1, 8
Output
Input
2
6, 7
Output
0V
10%
10%
TC1413
TC1413N
C L = 1800 pF
+5V
Input
Inverting Driver
TC1413
90%
4, 5
0V
10%
Input: 100 kHz,
square wave,
t RISE = t FALL ≤ 10 nsec
V DD
Output
t D1 90%
t R
90%
t D2
t F
0V
10%
Non-Inverting Driver
TC1413N
10%
FIGURE 4-1:
DS21392C-page 8
Switching Time Test Circuit.
? 2003 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32912A3333M | CAP FILM 0.033UF 760VDC RADIAL |
| ESC12DRXH | CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD |
| 3299Y-1-104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3299Y-1-503 | TRIMMER 50K OHM 0.5W TH |
| ECC10DRTI | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1413EUA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413EUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413N | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:3A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS |
| TC1413NCOA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1413NCOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl N-Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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