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参数资料
| 型号： | TC4451VOA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 12A HS 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 44ns |
| 电流 - 峰： | 13A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 671 (CN2011-ZH PDF) |
TC4451/TC4452
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ? V DD ? 18V.
220
300
200
180
160
140
120
100
80
60
40
47,000 pF
22,000 pF
250
200
150
100
50
5V
10V
18V
20
0
10,000 pF
0
4
6
8
10
12
14
16
18
100
1000
10000
100000
Supply Voltage (V)
Capacitive Load (pF)
FIGURE 2-1:
Voltage.
300
Rise Time vs. Supply
FIGURE 2-4:
Load.
40
Fall Time vs. Capacitive
V DD = 18V
250
200
5V
30
t RISE
t FALL
10V
150
100
20
50
0
18V
10
0
100
1000
10000
100000
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Capacitive Load (pF)
Temperature (°C)
FIGURE 2-2:
Rise Time vs. Capacitive
FIGURE 2-5:
Rise and Fall Times vs.
10 -7
Load.
220
200
180
160
140
47,000 pF
Temperature.
1E-07
10 -8
120
100
80
60
40
20
0
22,000 pF
10,000 pF
1E-08
1E-09
4
6
8
10 12 14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-3:
Fall Time vs. Supply
FIGURE 2-6:
Crossover Energy vs.
Voltage.
DS21987B-page 6
Supply Voltage.
? 2006-2012 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| TC4451VOA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC |
| TC4451VOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| TC4451VPA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC |
| TC4452 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:12A High-Speed MOSFET Drivers |
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