参数资料
型号: TC4452VMF
厂商: Microchip Technology
文件页数: 11/26页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 44ns
电流 - 峰: 13A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 管件
TC4451/TC4452
4.0
APPLICATIONS INFORMATION
+5V
Input
90%
0V
+18V
10%
t D1
90%
t F
t D2
t R
90%
Output
V DD = 18V
0V
10%
Inverting Driver
TC4451
10%
0.1 μF
1
8
V DD V DD
0.1 μF
4.7 μF
Input
2 Input
GND
4
Output 6
Output 7
GND
5
Output
C L = 15,000 pF
Input: 100 kHz, square wave
t RISE = t FALL ? 10 ns
+5V
Input
0V
10%
90%
+18V
Output
t D1 90%
t R
t D2
90%
tF
0V
10%
10%
Non-Inverting Driver
TC4452
Note: Pinout shown is for the DFN, PDIP and SOIC packages.
FIGURE 4-1:
Switching Time Test Circuits.
? 2006-2012 Microchip Technology Inc.
DS21987B-page 11
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PDF描述
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TC4451VMF713 IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN
T95C107M016CZSS CAP TANT 100UF 16V 20% 2812
TC4451VMF IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN
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参数描述
TC4452VMF713 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4452VOA 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4452VOA 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC
TC4452VOA713 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4452VPA 功能描述:功率驱动器IC 12A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube